The Vacuum Technology Review

真空技術

コンダクタンス計算と排気系設計の実務知識

連載 第16回

排気系の回路網モデル入門

電気回路アナロジーで排気系全体を解く。節点方程式・過渡解析・到達圧の計算例と、分子流直列合成の落とし穴

排気系の回路網モデル入門

第15回の最後で、排気系「全体」の設計検討には0D/1Dの回路網モデルが最も費用対効果が高い、と述べました。この記事ではその中身を具体化します。ポンプ・配管・チャンバーを電気回路の要素に対応させると、排気系の定常圧力分布も過渡挙動も、回路解析と同じ手順で解けるようになります。連載で積み上げてきた式(第3回第5回)が、そのまま回路の「素子値」になります。

電気回路とのアナロジー

真空排気系と電気回路の対応は次のとおりです。

真空排気系記号・単位電気回路での対応
圧力PP [Pa]電圧 VV
スループット(ガス流量)QQ [Pa·m³/s]電流 II
コンダクタンスCC [m³/s]コンダクタンス(抵抗の逆数)
チャンバー容積VV [m³]静電容量(グランドとの間のコンデンサ)
アウトガス・リーク・ガス導入QgasQ_{\mathrm{gas}}電流源
ポンプ(排気速度 SSSS [m³/s]グランド(P=0P=0)へつながるコンダクタンス SS

配管を流れるスループットが Q=C(P1P2)Q = C\,(P_1 - P_2) と書けること(第3回)が、オームの法則 I=G(V1V2)I = G\,(V_1 - V_2) と同型である——これがアナロジーの根拠です。ポンプは「入ってきた気体を圧力ゼロの世界へ流すコンダクタンス SS」とみなせます(Qpump=SPQ_{\mathrm{pump}} = S \cdot P)。

定常解析:節点方程式

回路と同じく、各ノード(チャンバーや配管の合流点)で流量の収支を取るのが基本です。ノード ii について

jCij(PjPi)+Qi=0\sum_j C_{ij}\,(P_j - P_i) + Q_i = 0

CijC_{ij}: ノード間のコンダクタンス、QiQ_i: そのノードへのガス発生量)。これはキルヒホッフの電流則そのものです。

重要なのは、分子流ではコンダクタンスが圧力によらないため、この連立方程式が線形になることです。ノードが何個あっても、行列を1回解けば全ノードの圧力が出ます。直列合成 1/C=1/Ci1/C = \sum 1/C_i や並列合成 C=CiC = \sum C_i第3回)、実効排気速度 1/Seff=1/S+1/C1/S_{\mathrm{eff}} = 1/S + 1/C第5回)は、この節点方程式を2〜3ノードの場合に手で解いた結果にすぎません。

過渡解析:チャンバーはコンデンサ

チャンバーの圧力変化は、容積 VV への気体の出入りの収支です。

VdPdt=QgasSeffPV\,\frac{dP}{dt} = Q_{\mathrm{gas}} - S_{\mathrm{eff}}\,P

これはRC回路の充放電と同じ1次遅れ系で、解は

P(t)=Pult+(P0Pult)et/τ,τ=VSeff,Pult=QgasSeffP(t) = P_{\mathrm{ult}} + \left(P_0 - P_{\mathrm{ult}}\right)e^{-t/\tau}, \qquad \tau = \frac{V}{S_{\mathrm{eff}}}, \qquad P_{\mathrm{ult}} = \frac{Q_{\mathrm{gas}}}{S_{\mathrm{eff}}}

となります。設計で使う2つの量がここから直接読めます。

  • 時定数 τ=V/Seff\tau = V/S_{\mathrm{eff}} — 排気の速さ。1桁下げるのに τln102.3τ\tau \ln 10 \approx 2.3\tau かかる
  • 到達圧 Pult=Qgas/SeffP_{\mathrm{ult}} = Q_{\mathrm{gas}}/S_{\mathrm{eff}} — アウトガスと実効排気速度の綱引きの落としどころ(第10回

計算例:1ノードの高真空排気

数字を入れて一巡してみます。次の系を考えます(ガスはN₂、293.15 K、vˉ=471\bar{v} = 471 m/s)。

  • チャンバー: 容積 V=0.1V = 0.1 m³、内表面積 A=1A = 1 m²、アウトガス q=1×105q = 1\times10^{-5} Pa·m³/(s·m²)
  • 配管: 内径 D=0.1D = 0.1 m、長さ l=1l = 1 m の円管
  • ポンプ: ターボ分子ポンプ S=0.3S = 0.3 m³/s(300 L/s)

手順1 — 配管の分子流コンダクタンス第4回の式、または計算ツール

C=πvˉD312l=π×471×0.1312×1=0.123 m3/s (123 L/s)C = \frac{\pi \bar{v} D^3}{12\,l} = \frac{\pi \times 471 \times 0.1^3}{12 \times 1} = 0.123\ \mathrm{m^3/s}\ (123\ \mathrm{L/s})

手順2 — 実効排気速度

Seff=(10.3+10.123)1=0.087 m3/s (87 L/s)S_{\mathrm{eff}} = \left(\frac{1}{0.3} + \frac{1}{0.123}\right)^{-1} = 0.087\ \mathrm{m^3/s}\ (87\ \mathrm{L/s})

300 L/sのポンプを買っても、この配管ではチャンバーから見ると87 L/s。配管がボトルネックです。

手順3 — 到達圧と時定数

Pult=QSeff=1×105×10.087=1.1×104 Pa,τ=0.10.087=1.1 sP_{\mathrm{ult}} = \frac{Q}{S_{\mathrm{eff}}} = \frac{1\times10^{-5} \times 1}{0.087} = 1.1\times10^{-4}\ \mathrm{Pa}, \qquad \tau = \frac{0.1}{0.087} = 1.1\ \mathrm{s}

手順4 — 排気時間10210^{-2} Pa(この系では Kn6.6K_n \approx 6.6 でほぼ分子流)から到達圧の2倍まで下げるのに

t=τlnP0PultPult1.1×ln(86)5 st = \tau \ln\frac{P_0 - P_{\mathrm{ult}}}{P_{\mathrm{ult}}} \approx 1.1 \times \ln(86) \approx 5\ \mathrm{s}

容積の排気自体は数秒で終わり、そこから先は PultP_{\mathrm{ult}} 付近で頭打ちになる——「到達圧はアウトガスで決まり、排気時間は V/SeffV/S_{\mathrm{eff}} で決まる」という高真空排気の定石が、そのまま式に現れています。実際にはアウトガス qq 自体が時間とともに減衰するため(第12回)、長時間側は q(t)q(t) を与えた数値積分になります。

非線形になる場合

分子流の外に出ると、素子値が一定でなくなります。

  • 層流領域: CPˉC \propto \bar{P}(平均圧力に比例。第4回)。粗引き中はコンダクタンスが刻々と変わる
  • ポンプ特性: 排気速度 SS は圧力依存(第9回)。ロータリーポンプの立ち上がり、ターボ分子ポンプの高圧側の失速など
  • 中間流: Knudsenの補間式などで C(P)C(P) を与える(第2回

このため大気圧からの粗引きシミュレーションは、C(P)C(P)S(P)S(P) を各時間ステップで更新しながら VdP/dtV\,dP/dt 式を数値積分します(前進オイラー法で十分なことが多いですが、時定数が短い局面では刻み幅に注意)。それでも1本のODEを解くだけなので、3D CAEに比べれば計算は一瞬です。パラメータを振って配管径やポンプ容量を決める使い方に向いています。

分子流の直列合成の落とし穴

回路網モデルで最も誤差を生みやすいのが、分子流での直列合成です。1/C=1/Ci1/C = \sum 1/C_i は「各要素の入口で分子の方向分布が余弦則に戻る」ことを暗黙に仮定していますが、実際には上流の管を抜けてきた分子は軸方向に偏っています(ビーミング効果)。要素を細かく刻んで直列合成すると、この仮定違反が累積してコンダクタンスを過小評価します。

対策は、透過確率 KK第15回)ベースの合成則を使うことです。同一断面の要素の直列には Oatleyの式

1KtotKtot=i1KiKi\frac{1 - K_{\mathrm{tot}}}{K_{\mathrm{tot}}} = \sum_i \frac{1 - K_i}{K_i}

が使えます。効果を数字で見ると、L/D=1L/D = 1 の円管(K=0.514K = 0.514)を2本つないだ場合:

方法KtotK_{\mathrm{tot}}
単純直列 1/K=1/Ki1/K = \sum 1/K_i0.257
Oatleyの式0.346
厳密値(L/D=2L/D = 2 の円管のClausing係数)≈ 0.357

単純直列は3割近く過小評価するのに対し、Oatleyの式なら誤差3%程度に収まります。管路の途中にオリフィスやバルブが挟まる系では、この差が排気時間の見積もりに直結します。エルボや複雑形状の KK は、第15回のTPMC(Molflow+)で一度求めて係数化すれば、回路網に組み込めます。

サンプルExcelシート

この記事の計算を、そのまま数式入りのExcelシートにまとめました。

vacuum-network-model.xlsx をダウンロード(約20 KB)

シート内容
定常計算ガス条件(vˉ\bar{v} の計算)→ 配管コンダクタンス → 実効排気速度 → 到達圧・時定数・排気時間。本文の計算例と同じ値が入っています
過渡解析前進オイラー法による粗引きカーブ(t=0t = 01010 s、200ステップ)。解析解の列と並んでいるので、刻み幅 dt を粗くすると数値解がずれていく様子も確認できます
直列合成Oatley式と単純直列の比較、透過確率からコンダクタンスへの換算

黄色のセルが入力欄です。配管径・ポンプ排気速度・アウトガス条件を書き換えると、到達圧から粗引きカーブまで全シートが連動して更新されるので、そのままパラメータスタディに使えます。数値解と解析解の列を折れ線グラフ(対数軸推奨)にすれば、粗引きカーブが一目で見えます。

実装のヒント

  • 表計算で始める: 定常の2〜3ノードなら合成則の電卓計算、過渡もオイラー法なら1列1変数で組める。上のサンプルシートが雛形。各素子の CC計算ツール
  • スクリプト化: ノードが増えたら、節点方程式を行列 AP=Q\boldsymbol{A}\boldsymbol{P} = \boldsymbol{Q} の形にして線形ソルバーで解く(分子流なら線形なのでライブラリ任せで済む)
  • SPICEでも解ける: アナロジーが厳密なので、回路シミュレータに抵抗(1/C1/C)・コンデンサ(VV)・電流源(QQ)として入力すれば過渡解析までそのまま動く
  • 検証を忘れない: 2ノードに縮約した手計算(本記事の計算例のような)と突き合わせてからノードを増やす

まとめ

  • 排気系は電気回路と同型: 圧力=電圧、スループット=電流、コンダクタンス=コンダクタンス、容積=静電容量、ポンプ=グランドへの SS
  • 定常は節点方程式(分子流なら線形連立方程式)、過渡は VdP/dt=QSeffPV\,dP/dt = Q - S_{\mathrm{eff}}P の1次遅れ系。時定数 τ=V/Seff\tau = V/S_{\mathrm{eff}} と到達圧 Pult=Q/SeffP_{\mathrm{ult}} = Q/S_{\mathrm{eff}} が設計の要
  • 層流・中間流・ポンプ特性で素子値が圧力依存になるが、ODEの数値積分で対応できる
  • 分子流の直列合成は単純な 1/C1/C 加算だとビーミングで過小評価。透過確率+Oatleyの式か、TPMCで求めた KK を使う

第13回の設計演習は、この回路網モデルを手計算で一巡したものです。あの計算をスクリプトに落とせば、配管径・ポンプ容量・アウトガス条件のパラメータスタディが数秒で回る「自分専用の排気系シミュレータ」になります。